新存科技请求半导体结构相关专利完成半导体结构制作优化

2025-03-03 行业新闻

     

  金融界2025年1月9日音讯,国家知识产权局信息数据显现,新存科技(武汉)有限责任公司请求一项名为“半导体结构的制作办法与半导体结构”的专利,公开号 CN 119255616 A,请求日期为 2024 年 9 月。

  专利摘要显现,本请求施行例公开了一种半导体结构的制作办法与半导体结构。制作办法有:供给衬底,并在衬底上构成器材资料层;在器材资料层上,构成阻挡层;在阻挡层上构成图画化的榜首掩膜;根据榜首掩膜进行刻蚀,在阻挡层中构成沿榜首方向延伸的多条榜首沟槽;去除榜首掩膜;在阻挡层上构成图画化的第二掩膜;根据第二掩膜进行刻蚀,在阻挡层中构成沿榜首方向延伸的多条第二沟槽;去除第二掩膜;以阻挡层为掩膜进行刻蚀,将器材资料层刻蚀构成沿榜首方向延伸的多条存储单元线。

  天眼查资料显现,新存科技(武汉)有限责任公司,成立于2022年,坐落武汉市,是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制作业为主的企业。企业注册本钱1656.3515万人民币,实缴本钱1257.59万人民币。经过天眼查大数据分析,新存科技(武汉)有限责任公司共对外出资了5家企业,参加招投标项目3次,专利信息58条。

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